当社は、1996年の創立以来、光半導体およびマイクロ波半導体の組立/選別事業を一貫して展開しています。
汎用フォトカプラ、ローノイズGaAs FETの世界需要の拡大と共に成長を続け、2014年からはOEM受託生産を開始しています。
| 1996年1月 | 頻光半導体股份有限会社創立 |
|---|---|
| 1996年10月 | Photo Coupler量産開始 |
| 1998年12月 | Si-MMIC量産開始 |
| 1999年6月 | 品質マネジメントシステムの国際規格 ISO 9001認定取得 |
| 1999年7月 | 設計開発部(PDC)の正式成立 |
| 2002年5月 | LN-GaAs FET量産開始 |
| 2003年9月 | 環境マネジメントシステムの国際規格 ISO 14001認定取得 |
| 2004年3月 | 事務棟とフロアの増築 |
| 2004年8月 | Photo Coupler能力増強 |
| 2005年12月 | 全製品の鉛フリー化達成 |
| 2006年3月 | LN-GaAs FET (中空タイプ)能力増強 |
| 2007年3月 | SONY Green Partner認定取得 |
| 2009年4月 | Si-MMIC能力増強 |
| 2010年1月 | 後工程と検査工程フロアの増築(939.56平方メートル) |
| 2010年11月 | LN-FET (モールド封止タイプ）量産開始 |
| 2012年10月 | PhotoCouplerのSOP、SSOP量産開始 |
| 2012年12月 | Si-MMIC（GaAsIC）量産開始 |
| 2013年12月 | SiTrIC量産開始 |
| 2014年7月 | 新規他社のOEM生産開始 |
| 2017年8月 | 九州電子が100％出資親会社となる |
