テクノロジー

開発技術について

無線通信用高周波先端素子の研究開発を行っており、高周波製品(RF MMIC)の生産技術を含めた開発を行っています。
高品質の無線通信ソリューションをご提案し、市場要求に応える高機能、低コストの製品をご提供します。
製品の応用範囲としては、家庭内ネットワーク、家庭用電化製品、メディア、医療、モバイル設備、インターネット、スマートエネルギーシステム、無線インフラ等です。
・専用RFチップ設計
・設計から量産までトータルサポート
・カスタム製品設計
・豊富な量産経験
・日本企業との共同研究開発および製品製造
・ファンドリー工場と連携して、付加価値のある製品の研究開発

Product Development Roadmap

RFIC Development
1. High Power & High Isolation 高効率化&高絶縁性
2. Multi function 多機能化
3. Miniaturization 小型化

F/E RF Devices Development Plan

1. Switch MMIC Development
2. Multi-function RF MMIC Development
3. Frond-End Module Development

最先端のGaAs (Gallium Arsenide) pHEMT やSOI (Silicon on Insulator) CMOS製造プロセスを取り入れ、現在保有しているGaAs RF SWICとGaAs RF PAチップ設計技術を更に進歩させます。
優れたパッケージ技術と最適な基板デザインにより、多機能モジュール化した高周波先端製品の研究開発を進めます。
今後、各種機能を有する高周波MMIC設計技術を高度化することで、お客様のニーズに応じて、単機能および多機能のRF MMICとFront-End Moduleを開発していきます。

製造技術について

全自動一貫工程設備による高品質なものづくり
組立工程および選別/包装工程では、日本製の高精度複合設備で生産を行なっています。
また、製品の特性向上および品質向上のために開発した固有技術を保有しています。

専門的な技術

  • 中空構造パッケージ
    中空構造パッケージ
    LNB先端の増幅器の最重要ポイントは低ノイズです。当社は業界トップの技術を活かし、チップ表面が樹脂に接触しない中空構造パッケージの製造技術を保有しています。この技術により12~20GHzといった非常に高い周波数帯で低ノイズ、高利得の製品を製造することが可能になります。
  • GaAs ウエーハ 応用プロセス
    GaAs ウエーハ 応用プロセス
    ガリウム砒素(GaAs)ウエーハ厚0.1mm以下のスクライブ/ブレーキング技術を保有しております。
    精密な荷重管理を自動的に行うことで、ブレーキング後のチップ外観は100%の歩留を達成することが可能です。
  • WIRE 自動認識機能+自動除去機能
    WIRE 自動認識機能+自動除去機能
    マイクロ波生産ラインでは、ワイヤボンディング工程後に自動認識装置で検査を行い、出荷製品の高周波特性品質を維持しています。
    画像認識システムを用いてカメラで製品の画像を撮影し、チップの位置、ワイヤ形状を自動的に認識して良品/不良品判定を行い、不良品を除去します。
  • 測定後の製品外観認識判定機能
    測定後の製品外観認識判定機能
    特性選別後の製品は、キャリアテープへの包装前に、封止表面とリードの外観検査を自動で行いお客様の厳しい品質要求に応えています。
    外観自動検査機能には、封止表面検査、リード形状検査、捺印文字検査、製品の包装方向検査等の機能が有ります。

製造技術

製造技術

■生産設備
複合化された一貫生産ラインによる高品質なものづくりを行っています。

<組立/封止>
DIE BOND/WIRE BOND/樹脂封止まで複合化された一貫ラインで生産しています。

<選別/包装>
特性測定/捺印/外観認識/包装まで複合化された装置で生産しています。

■生産管理システム
バーコードを用いた高度な管理システムを構築しています。ウエーハを含む資材管理、製造ロット管理を行い、製品/製造ロットの混入を未然に防止しています。

テクノロジー